2026年3月4日，高性能内存接口芯片和硅知识产权（半导体IP）大厂Rambus宣布推出业界领先的HBM4E内存控制器IP，进一步扩大其在HBM IP市场的领导地位。这一新解决方案通过先进的可靠性功能实现了突破性性能，使设计师能够应对下一代AI加速器和图形处理器（GPU）对内存带宽要求极高的需求。

　　Rambus硅知识产权高级副总裁兼总经理Simon Blake-Wilson表示：“鉴于AI对带宽的无尽需求，内存生态系统必须持续积极提升内存性能。”“作为AI应用领域的领先硅片IP供应商，我们正在将行业领先的HBM4E控制器IP解决方案推向市场，作为下一代AI处理器和加速器突破性性能的关键推动力。”

　　三星电子代工厂IP开发团队负责人兼企业副总裁Ben Rhew表示：“HBM4E代表HBM技术的一个重要里程碑，为先进的人工智能和高性能计算工作负载带来了前所未有的性能。”“HBM4E 知识产权解决方案对于广泛的行业采用至关重要，三星期待与 Rambus 及更广泛的生态系统紧密合作，推动人工智能创新。”

　　MatX联合创始人兼首席执行官Reiner Pope表示：“HBM带宽是LLM性能的主要瓶颈之一，我们对行业内推动这一目标的努力感到兴奋。”

　　IDC内存半导体项目副总裁So Kyoum Kim表示：“AI处理器和加速器需要高性能、高密度的HBM内存，以应对AI工作负载的庞大计算需求。”“随着AI处理器和加速器的需求持续快速增长，HBM解决方案必须迅速发展。HBM4E 知识产权现在进入市场，将成为前沿人工智能硬件设计师的重要基石。”

　　Rambus HBM4E 控制器支持新一代 HBM 内存部署，应用于尖端 AI 加速器、图形和高性能计算应用。HBM4E控制器支持每引脚最高16吉比特/秒（Gbps）的运行，为每个内存设备提供前所未有的4.1 TB/s吞吐量。对于一个拥有八个HBM4E设备的AI加速器来说，这意味着下一代AI工作负载拥有超过32TB/s的内存带宽。Rambus HBM4E 控制器 IP 可与第三方标准或 TSV PHY 解决方案配合，作为 AI SoC 或定制基础芯片解决方案的一部分，实现完整的 HBM4E 内存子系统，集成为 2.5D 或 3D 封装。